Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-247
IXTH3N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1500 7300 7300 7300 7300 7300 3 250 TO-247
STP4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-220
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
STFV4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220FH STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 40 TO-220FH
STW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-247
STP4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-220
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
STFV4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220FH STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 40 TO-220FH
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
STW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-247
STP4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-220
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXTP08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-220
IXTA08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-263
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019