Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFK74N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 77 77 77 77 77 74 1400 TO-264
IXFK180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 TO-264
IXFX180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 PLUS247
IXFX160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 300 19 19 19 19 19 160 1390 PLUS247
IXFK160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 300 19 19 19 19 19 160 1390 TO-264
IXFK98N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 50 50 50 50 50 98 1300 TO-264
IXFX98N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 50 50 50 50 50 98 1300 PLUS247
IXFX94N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 55 55 55 55 55 94 1300 PLUS247
IXFK94N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 55 55 55 55 55 94 1300 TO-264
IXFX80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 70 70 70 70 70 80 1300 PLUS247
IXFK80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 70 70 70 70 70 80 1300 TO-264
IXTK550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 TO-264
IXFK360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 TO-264
IXFX32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 320 320 320 320 320 32 1250 PLUS247
IXTX550N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 550 1250 PLUS247
IXFX360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 PLUS247
IXFX44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 190 190 190 190 190 44 1250 PLUS247
IXFK32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 320 320 320 320 320 32 1250 TO-264
IXFK44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 190 190 190 190 190 44 1250 TO-264
IXFB30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 350 350 350 350 350 30 1250 PLUS264
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019