Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
ZVN4210A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 100 - - - - 1500 0.45 0.7 TO-92
IRF840ALPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 8 125 TO-262
IXFT21N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 250 250 250 250 250 21 280 TO-268
STD100N3LF3 N-channel 30V - 0.0045? - 80A - DPAK Planar STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 4.5 80 110 D-PAK
IXKP10N60C5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 385 385 385 385 385 10 109 TO-220AB
IRFIZ44N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 24 31 38 TO-220
STW24NK55Z N-channel 550 V - 0.18 ? - 23 A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 550 - - - - 180 23 285 TO-247
FQB8N60CF 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1250 6.26 147 D2-PAK
SiA811DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
P 1 20 153 - 109 78 - 4.5 6.5 PowerPAK SC70-6
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
FCH041N65F_F085 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 650 В, 76 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 41 76 595 TO-247
PHP9NQ20T N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 200 - - - - 300 8.7 88 TO-220AB
IXFT96N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-268
IRF3315S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 82 21 94 D2-PAK
STF16NM50N N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 210 15 30 TO-220FP
FDP52N20 N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 41 52 357 TO-220
SUD06N10-225L N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - 180 160 6.5 20 D-PAK
IPD50R500CE 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE Infineon Technologies MOSFET
N 1 500 - - - - 500 24 57 TO-252
STQ3NK50ZR-AP N-CHANNEL 500V - 2.8? - 2.3A TO-92 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 2800 0.5 3 TO-92
FQPF10N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 600 9.5 50 TO-220F
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019