Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTY01N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 50000 50000 50000 50000 50000 100 25 TO-252 AA
IXTU01N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 50000 50000 50000 50000 50000 100 25 TO-251 AA
IXTF1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 40000 40000 40000 40000 40000 1 110 ISOPLUS_i4
IXTH1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 40000 40000 40000 40000 40000 1.5 250 TO-247AD
IXTP06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-220
IXTA06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-263
IXTA05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-263
STU1N120 N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - IPAK Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 30000 0.5 45 I-PAK
STP1N120 N-channel 1200 V - 30 ? - 500 mA - TO-220 Zener - protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 30000 0.5 45 TO-220
CPC3730C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 30000 30000 30000 30000 30000 0.14 1.6 SOT-89
IXTY02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-252
IXTU02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-251
IXTP02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-220
IXTP05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-220AB
BS107 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 28000 0.25 0.35 TO-92
ZXMP2120E5 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 28000 -0.122 0.75 SOT-23-5
ZXMP2120FF 200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 28000 -0.137 1 SOT-23F
ZVP2120G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 25000 -0.2 2 SOT-223-4
IXTP08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-220
ZVN3320F SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 200 - - - - 25000 0.06 0.33 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019