Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTQ130N15T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 130 | 750 |
|
|
IXTH130N15T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 130 | 750 |
|
|
FDH44N50 | 44A, 500V, 0.12 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 110 | 44 | 750 |
|
|
IXFX52N60Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 115 | 115 | 115 | 115 | 115 | 52 | 735 |
|
|
IXFK52N60Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 115 | 115 | 115 | 115 | 115 | 52 | 735 |
|
|
IXTN60N50L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 53 | 735 |
SOT-227 |
|
IXFX30N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 30 | 735 |
|
|
IXFK30N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 30 | 735 |
|
|
IXFX60N55Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 88 | 88 | 88 | 88 | 88 | 60 | 735 |
|
|
IXTN90N25L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 33 | 33 | 33 | 33 | 33 | 90 | 735 |
SOT-227 |
|
IXFK60N55Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 88 | 88 | 88 | 88 | 88 | 60 | 735 |
|
|
IXTN110N20L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 100 | 735 |
SOT-227 |
|
IXFN66N50Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 66 | 735 |
|
|
IXFX66N50Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 66 | 735 |
|
|
IXFX38N80Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 38 | 735 |
|
|
IXFK66N50Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 66 | 735 |
|
|
IXFN38N80Q2 | HiPerN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 38 | 735 |
|
|
IXFK38N80Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 38 | 735 |
|
|
IXTN120N25 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 120 | 730 |
|
|
IXTK160N20 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 160 | 730 |
|