Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTQ36P15P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | -36 | 300 |
|
|
IXTP36P15P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | -36 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA36P15P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | -36 | 300 |
|
|
TJ40S04M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | - | 9.1 | -40 | 68 |
|
|
IXTN40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
SOT-227 |
|
IXTX40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
|
|
IXTK40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
|
|
IXTR68P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 | -44 | 270 |
|
|
IXTH44P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | -44 | 298 |
|
|
IXTQ44P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | -44 | 298 |
|
|
IXTP44P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | -44 | 298 |
TO-220 |
|
IXTA44P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | -44 | 298 |
|
|
IPP45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13.1 | 9 | -45 | 58 |
TO-220 |
|
IPI45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13.1 | 9 | -45 | 58 |
TO-262 |
|
IPB45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 12.8 | 8.7 | -45 | 58 |
TO-263-3 |
|
IXTY48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
TO-252 |
|
IXTP48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
TO-220AB |
|
IXTA48P05T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -50 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -48 | 150 |
|
|
IXTT48P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | -48 | 462 |
|
|
IXTH48P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | -48 | 462 |
|