Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IPP45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13.1 | 9 | -45 | 58 |
TO-220 |
|
ZVP4525E6 | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.197 | 1.1 |
SOT-23-6 |
|
Si3475DV | P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 1340 | 0.95 | 3.2 |
|
|
FDMC86261P | P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -150 | - | - | - | - | 160 | -9 | 40 |
|
|
IRL5602S | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 62 | 42 | - | 24 | 75 |
D2-PAK |
|
IRF9520S | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 100 | - | - | - | - | 600 | 6.8 | 60 |
D2-PAK |
|
NTF5P03T3 | Power MOSFET 5.2 Amps, 30 Volts P?Channel SOT?223 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 107 | 76 | -5.2 | 3.13 |
SOT-223-4 |
|
Si5853CDC | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 170 | - | 120 | 86 | - | 4 | 3.1 |
ChipFET_1206-8 |