Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSC017N04NS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.7 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - - 1.7 100 139 SON-8
BSC019N02KS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 20 В, 100 А, 1.95 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 20 - 3 - 1.95 - 100 104 SON-8
BSC022N04LS Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 3.2 2.2 100 69 SON-8
BSC026NE2LS5 Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 25 - - - 4 2.6 82 29 SuperSO8
BSC028N06LS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 60 В, 100 А, 2.8 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - 4.8 2.8 100 139 SON-8
BSC028N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 100 83 SuperSO8
BSC031N06NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 60 В, 100 А, 3.1 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.1 100 139 SON-8
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
BSC042NE7NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 75 В, 100 А, 4.2 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 75 - - - - 4.2 100 125 SON-8
BSC046N10NS3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 4.6 100 156 SuperSO8
BSC047N08NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 80 В, 100 А, 4.7 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 80 - - - - 4.7 100 125 SON-8
BSC060N10NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 6 90 125 SON-8
BSC077N12NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 120 В, 98 А, 7.7 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 120 - - - - 7.7 98 139 SON-8
BSC190N15NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 150 В, 50 А, 19 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 150 - - - - 19 50 125 SON-8
BSC320N20NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 200 В, 36 А, 32 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 32 36 125 SON-8
BSC600N25NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 250 В, 25 А, 60 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 250 - - - - 60 25 125 SON-8
BSF134N10NJ3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 13.4 40 43 CanPAK S
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
N 1 30 600 - 500 400 - 0.85 0.75 SOT-23-3
BSH105 N-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
N 1 20 240 - 180 140 - 1.05 0.417 SOT-23-3
BSH108 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 30 - - - - 77 1.9 0.83 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019