Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTA08N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 0.8 | 50 |
|
|
ZVP2120A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 25000 | -0.12 | 0.7 |
TO-92 |
|
ZXMP2120G4 | 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 25000 | -0.2 | 2 |
SOT-223-4 |
|
IRF6217 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 150 | - | - | - | - | 24000 | 0.7 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
CPC3720C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-89 |
|
TSM1N80CW | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 0.15 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 21600 | 0.15 | 2.1 |
|
|
IXTY08N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 0.8 | 60 |
TO-252 |
|
IXTP08N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 0.8 | 60 |
TO-220AB |
|
IXTA08N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 0.8 | 60 |
|
|
ZVP3310A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -100 | - | - | - | - | 20000 | -0.14 | 0.625 |
TO-92 |
|
FSEZ1307 | ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ШИМ |
- | 1 | 700 | - | - | - | - | 20000 | 0.5 | 0.66 |
|
|
ZVP3310F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -100 | - | - | - | - | 20000 | 0.075 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
IXTA08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
|
|
IXTP08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
TO-220 |
|
IXTP1N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 1 | 63 |
TO-220 |
|
IXTA1N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 1 | 63 |
|
|
IXTY08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
TO-252 |
|
IXTP05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
|
IXFP05N100M | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.7 | 25 |
|
|
BSP230 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 300 | - | - | - | - | 17000 | 0.21 | 1.5 |
SOT-223-4 |