Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN601DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 3500 0.305 0.225 SOT-26
2N7002L Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 7500 0.115 0.225 SOT-23-3
DMN2004DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.225 SOT-26
MMBF170LT1 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.5 0.225 SOT-23-3
MMBF0201NLT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - 1000 750 0.3 0.225 SOT-23-3
Si1051X P-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 8 117 - 106 91 - 1.2 0.236 SC89-6
Si1065X P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 158 - 131 108 - 1.18 0.236 SC89-6
Si1058X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 103 76 - 1.3 0.236 SC89-6
Si1069X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 - - 218 153 - 0.94 0.236 SC89-6
Si1056X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 93 - 82 74 - 1.32 0.236 SC89-6
Si1067X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 165 - 138 125 - 1.06 0.236 SC89-6
Si1054X N-Channel 12-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 12 95 - 87 79 - 1.32 0.236 SC89-6
Si1073X P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - - 202 144 0.98 0.236 SC89-6
Si1050X N-Channel 8-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 8 85 - 78 71 - 1.34 0.236 SC89-6
Si1071X P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - 195 147 139 0.96 0.236 SC89-6
Si1072X N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 107 77 1.3 0.236 SC89-6
Si1070X N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - 116 82 - 1.2 0.236 SC89-6
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
DMN66D0LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 3000 0.8 0.25 SOT-363
BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 3500 0.15 0.25 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019