Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTP1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-220
IXTA1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-263
IXTA1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-263
IXTT1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-268
IXTH1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-247AD
BST82 N-канальный полевой транзистор NXP MOSFET
N 1 100 - - - 10000 - 0.19 0.83 SOT-23-3
IXTY1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-263
TN2535 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 350 - - - 10000 10000 1 1.6 SOT-89
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.2 SOT-23-3
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
CPC3710C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 10000 10000 10000 10000 10000 0.22 1.6 SOT-89
IXTY1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-252
IXTU1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-251
IXTP1R4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 9000 9000 9000 9000 9000 1.4 50 TO-220
IXTN5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 700 miniBLOC
IXTX5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 PLUS247
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
TN2540N8-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 400 - - - 8000 8000 0.75 1.6 SOT-89
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019