Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFK80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 65 65 65 65 65 80 1250 TO-264
IXFK64N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 95 95 95 95 95 64 1250 TO-264
IXFX170N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 14 14 14 14 14 170 1250 PLUS247
IXFX64N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 95 95 95 95 95 64 1250 PLUS247
IXFK170N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 14 14 14 14 14 170 1250 TO-264
IXFB82N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 75 75 75 75 75 82 1250 PLUS264
IXFB44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 220 220 220 220 220 44 1250 PLUS264
STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - - 0.001 1200 STAC244B
IXFX44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 PLUS247
IXFK44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 190 190 190 190 190 44 1200 TO-264
IXFK170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 TO-264
IXFX170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 11 11 11 11 11 170 1150 PLUS247
19MT050XF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 4 500 - - - - 210 31 1140 MTP
IXFN50N80Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 160 160 160 160 160 50 1135 SOT-227 B
IXFX78N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 68 68 68 68 68 78 1130 PLUS247
IXFK78N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 68 68 68 68 68 78 1130 TO-264
IXFK64N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 95 95 95 95 95 65 1130 TO-264
IXFX64N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 95 95 95 95 95 65 1130 PLUS247
IXFN230N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 220 1090 SOT-227
IXFN320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 260 1070 SOT-227
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019