Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTY05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-252
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
IXTA05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-263
ZVN0124A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
 N 1 240 - - - - 16000 0.16 0.7 TO-92
FQU1N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 800 - - - - 15500 1 2.5 I-PAK
FQD1N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 800 - - - - 15500 1 2.5 D-PAK
IXTP1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-220
IXTY1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-252
BSP225 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 250 - - - - 15000 0.225 1.5 SOT-223-4
IXTA1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-263
ZVP3306A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
 P 1 -60 - - - - 14000 -0.16 0.625 TO-92
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
IXTY1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-252
IXTU1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-251
IXTP1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-220
BS250P P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -45 - - - - 14000 -0.23 0.7 TO-92
IXTA1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-263
ZVP3306F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
 P 1 -60 - - - - 14000 -0.09 0.33 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники