Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STP62NS04Z | N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 0 | - | - | - | - | 12.5 | 62 | 110 |
TO-220 |
| IXFC96N15P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 26 | 26 | 26 | 26 | 26 | 42 | 120 |
|
| IRFBC30PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 3.6 | 74 |
TO-220AB |
| NTB30N06L | Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | - | 30 | 88.2 |
D2-PAK |
| 2N7002W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
| SiE820DF | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 5.3 | 2.9 | - | 50 | 104 |
|
| STP20NM60 | N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 20 | 192 |
TO-220 |
| IXFK35N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 150 | 150 | 150 | 150 | 150 | 35 | 416 |
|
| IXTN62N50L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 62 | 800 |
|
| STF7NM50N | N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 700 | 5 | 20 |
|
| FQPF17N40 | 400V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 210 | 9.5 | 56 |
TO-220F |
| IXFT320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
| IRFB260N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 40 | 56 | 380 |
TO-220AB |
| PHB160NQ08T | N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 4.8 | 75 | 300 |
D2-PAK |
| IXTQ36N30P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 36 | 300 |
|
| STP4N150 | N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 5000 | 4 | 160 |
TO-220 |
| HUFA76407D3S | N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 107 | 77 | 12 | 38 |
|
| IPP015N04NG | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.5 | 120 | 250 |
|
| STS7NF60L | N-CHANNEL 60V - 0.017 W - 7.5A SO-8 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 17 | 7.5 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IXTM24N50 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | 24 | 300 |
|
