Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTK120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -120 | 1040 |
|
|
IXTR170P10P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | -108 | 312 |
|
|
IXTN120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -106 | 830 |
|
|
IXTH96P085T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -85 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | -96 | 298 |
|
|
IXTP96P085T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -85 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | -96 | 298 |
TO-220 |
|
IXTA96P085T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -85 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | -96 | 298 |
|
|
IXTR140P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | -90 | 270 |
|
|
IPD90P03P4-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.6 | -90 | 137 |
TO-252 |
|
IXTR120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | -90 | 595 |
|
|
IPD90P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5.1 | 3.3 | -90 | 137 |
TO-252 |
|
IXTN90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
SOT-227 |
|
IXTK90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
|
|
IXTX90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
|
|
IXTT90P10P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | -90 | 462 |
|
|
IXTH90P10P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | -90 | 462 |
|
|
IPP80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5 | 3.7 | -80 | 137 |
TO-220 |
|
IPI80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5 | 3.7 | -80 | 137 |
TO-262 |
|
IPB80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 4.7 | 3.4 | -80 | 137 |
TO-263-3 |
|
IPP80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.3 | 5.9 | -80 | 88 |
TO-220 |
|
IPI80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.3 | 5.9 | -80 | 88 |
TO-262 |