Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTK120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 30 30 30 30 30 -120 1040 TO-264
IXTR170P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 13 13 13 13 13 -108 312 ISOPLUS247
IXTN120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 30 30 30 30 30 -106 830 SOT-227 B
IXTH96P085T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -85 13 13 13 13 13 -96 298 TO-247
IXTP96P085T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -85 13 13 13 13 13 -96 298 TO-220
IXTA96P085T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -85 13 13 13 13 13 -96 298 TO-263
IXTR140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 16 16 16 16 16 -90 270 ISOPLUS247
IPD90P03P4-04 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - - 3.6 -90 137 TO-252
IXTR120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 32 32 32 32 32 -90 595 ISOPLUS247
IPD90P03P4L-04 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 5.1 3.3 -90 137 TO-252
IXTN90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 SOT-227
IXTK90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 TO-264
IXTX90P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 44 44 44 44 44 -90 890 PLUS247
IXTT90P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -90 462 TO-268
IXTH90P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 25 25 25 25 25 -90 462 TO-247
IPP80P03P4L-04 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 5 3.7 -80 137 TO-220
IPI80P03P4L-04 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 5 3.7 -80 137 TO-262
IPB80P03P4L-04 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 4.7 3.4 -80 137 TO-263-3
IPP80P03P4L-07 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 8.3 5.9 -80 88 TO-220
IPI80P03P4L-07 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 8.3 5.9 -80 88 TO-262
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019