Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
DMP2225L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 80 - -2.6 1.08 SOT-23-3
BS250F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 9000 -0.09 0.33 SOT-23-3
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
DMN100 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 170 240 1.1 0.5 SC-59
2N7002V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 36 25 6 1.4 SC-59
DMN66D0LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 3000 0.8 0.25 SOT-363
DMN66D0LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-523
DMP3056LDM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 65 45 -4.3 1.25 SOT-26
DMN2040LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 - - - 19 - 7 2 SOP-8L
DMN5L06VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMP2123L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - 87 51 - -3 1.4 SOT-23-3
DMN3150LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 28 - - - 73 - 1.6 0.35 SOT-323
DMP3098LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -30 - - - 98 56 -4.4 1.8 SOP-8L
DMN2230U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 170 - - 81 - 2 0.6 SOT-23-3
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
DMP2240UDM DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 180 - - 92 - -2 0.6 SOT-26
BS250P P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 14000 -0.23 0.7 TO-92
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019