Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
STB5NK50Z | N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 1220 | 4.4 | 70 |
D2-PAK |
|
IRLTS6342TRPBF | Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | 22 | - | 17.5 | - | 8.3 | 2 |
|
|
IRFBC30PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 3.6 | 74 |
TO-220AB |
|
IXTN62N50L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 62 | 800 |
|
|
IXFK35N50 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 150 | 150 | 150 | 150 | 150 | 35 | 416 |
|
|
SiE820DF | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 5.3 | 2.9 | - | 50 | 104 |
|
|
STP20NM60 | N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 20 | 192 |
TO-220 |
|
2N7002W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 13500 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
|
NTB30N06L | Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel D2PAK | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | - | 30 | 88.2 |
D2-PAK |
|
IXTQ36N30P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 36 | 300 |
|
|
IRFB260N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 40 | 56 | 380 |
TO-220AB |
|
PHB160NQ08T | N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 4.8 | 75 | 300 |
D2-PAK |
|
FQPF17N40 | 400V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 210 | 9.5 | 56 |
TO-220F |
|
STF7NM50N | N-channel 500V - 0.70? - 5A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 700 | 5 | 20 |
|
|
IXFT320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
LKK47-06C5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 2 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | 278 |
|
|
IXTM24N50 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | 24 | 300 |
|
|
STS7NF60L | N-CHANNEL 60V - 0.017 W - 7.5A SO-8 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 17 | 7.5 | 2.5 |
SOIC-8 |
|
HUFA76407D3S | N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 107 | 77 | 12 | 38 |
|
|
STP4N150 | N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 5000 | 4 | 160 |
TO-220 |