Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFX320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-247
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
IRF2804S-7P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.6 320 330 D2-PAK
NVMFS5C410NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 1.3 0.9 315 167 DFN-5
IXFN360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 310 1070 SOT-227
NTMFS5C410NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 1.3 0.9 302 139 DFN-5
IPT020N10N3 NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 100В, 300А Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 2 300 375 HSOF-8-1
IPT007N06N NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 60В, 300А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 0.75 300 375 HSOF-8-1
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
IRLS3036-7PPbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - 1.7 1.5 300 380 D2-PAK-7
IPT004N03L NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 30В, 300А Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 0.5 0.4 300 300 HSOF-8-1
BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
2N7002T N-channel TrenchMOS FET NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
PMBF170 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
IXFB300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 300 1500 PLUS264
IXTH300N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 300 480 TO-247
IXTA300N04T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 300 480 TO-263-7
IXTP300N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 300 480 TO-220
FDBL0065N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 0.65 300 429 H-PSOF
IXTA300N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 300 480 TO-263
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019