Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
NVMFS5C404NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 1 0.75 352 200 DFN-5
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
IRLSL3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-262
IRLS3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 D2-PAK
IRLB3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-220AB
IXFN340N06 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 60 3 3 3 3 3 340 700 SOT-227 B
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET ISSI MOSFET
N 1 70 - - - - 4 340 700 SOT-227
IXFH340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-247
IXFT340N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 75 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 340 935 TO-268
IXFN340N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 70 4 4 4 4 4 340 700 SOT-227
IRFSL3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 TO-262
IRFS3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 D2-PAK
IRFB3004PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 1.4 340 380 TO-220AB
NTMFS5C404NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 1 0.75 339 167 DFN-5
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 - - 2400 2300 - 335 0.83 SOT-23-3
IXFT320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-268
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
2N7002KA N-channel TrenchMOS FET NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3800 2800 320 0.83 SOT-23-3
IXTN320N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 320 680 SOT-227
IXFK320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-264
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019