Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFZ520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 465 600 DE-475
IXTH440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-247
IXTT440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-268
IRF1324S-7PPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 24 - - - - 800 429 300 D2-PAK
IXFX420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-247
IXFK420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-264
IXTH420N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 2 2 2 2 2 420 935 TO-247
IXFN420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 420 1070 SOT-227
IXFH400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-247
IXFT400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-268
IRFS3004-7PPbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 0.9 400 380 D2-PAK-7
IRLS3034-7PPbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.2 1 380 380 D2-PAK-7
BSP126 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 250 - - - - 2800 375 1.5 SOT-223-4
IXFK360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 TO-264
IXFX360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.9 2.9 2.9 2.9 2.9 360 1250 PLUS247
IXFN360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 360 830 SOT-227
IXTH360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-247
IXTT360N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 360 935 TO-268
IXFK360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-264
IXFX360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 360 1670 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019