Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
BSS192 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 240 | - | - | - | - | 12000 | 200 | 1 |
SOT-89 |
|
BSP220 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 12000 | 0.225 | 1.5 |
SOT-223-4 |
|
IXTT1H100 | High Voltage MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
IXTH1H100 | High Voltage MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
IXTP1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 54 |
TO-220 |
|
IXTA1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 54 |
|
|
IXTP1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-220 |
|
NTD20P06L | Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 11000 | -15.5 | 65 |
D-PAK |
|
IRFBG20PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
|
IRFBG20 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
|
IXTY1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
TO-252 |
|
IXTY1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
|
|
IXTP1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
|
IXTA1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
|
|
IXTA1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
|
|
IXTT1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
NCP1075 | Высоковольтные импульсные регуляторы для сетевых источников питания | NXP |
Управление питанием MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 11000 | 0.45 | 19 |
SOT-223-4 |
|
IXTH1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
NCP1072 | Высоковольтные импульсные регуляторы для сетевых источников питания | NXP |
Управление питанием MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 11000 | 0.25 | 19 |
SOT-223-4 |
|
TSM1NB60CP | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 39 |
TO-252 |