Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTX90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
|
|
IXTK120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -120 | 1040 |
|
|
IXTR90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 48 | 48 | 48 | 48 | 48 | -53 | 312 |
|
|
IXTH16P20 | Standard Power MOSFET | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | -16 | 300 |
|
|
IXTT48P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | -48 | 462 |
|
|
ZVP1320F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 80000 | -0.035 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
IXTH48P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | -48 | 462 |
|
|
ZXMP2120G4 | 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -200 | - | - | - | - | 25000 | -0.2 | 2 |
SOT-223-4 |
|
IXTR48P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 93 | 93 | 93 | 93 | 93 | -30 | 190 |
|
|
IXTQ26P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 170 | 170 | 170 | 170 | 170 | -26 | 300 |
|
|
IXTP26P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 170 | 170 | 170 | 170 | 170 | -26 | 300 |
TO-220 |
|
IXTT50P085 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -185 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | -50 | 300 |
|
|
IXTH50P085 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -185 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | -50 | 300 |
|
|
FDMC86261P | P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -150 | - | - | - | - | 160 | -9 | 40 |
|
|
IXTY10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
TO-252 |
|
IXTP10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
TO-220AB |
|
IXTA10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
|
|
IXTY15P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | -15 | 150 |
TO-252 |
|
IXTP15P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | -15 | 150 |
TO-220AB |
|
IXTR36P15P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | -22 | 150 |
|