Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTX120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -120 | 1040 |
|
|
IXFN82N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 72 | 1040 |
|
|
IXTK120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -120 | 1040 |
|
|
IXFX64N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 | 64 | 1040 |
|
|
IXFK64N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 | 64 | 1040 |
|
|
IXFT50N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 50 | 1040 |
|
|
IXFN38N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 210 | 210 | 210 | 210 | 210 | 38 | 1000 |
|
|
IXFX48N60Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 48 | 1000 |
|
|
IXFK48N60Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 48 | 1000 |
|
|
IXTH440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IXFK24N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 440 | 440 | 440 | 440 | 440 | 24 | 1000 |
|
|
IXTT440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IXFN32N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 310 | 310 | 310 | 310 | 310 | 32 | 1000 |
|
|
IXFX24N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 440 | 440 | 440 | 440 | 440 | 24 | 1000 |
|
|
IXFT320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
IXFK32N80Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 32 | 1000 |
|
|
IXFX32N80Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 32 | 1000 |
|
|
IXTT500N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 1000 |
|
|
IXFN56N90P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 56 | 1000 |
|