Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTN17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 SOT-227 B
IXTA2R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 7500 7500 7500 7500 7500 2.4 125 TO-263
IXFH16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-247
IXTX17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 PLUS247
IXTP1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-220
IXFT16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-268
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXTA1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-263
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
IXTP1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-220
IXFA6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-263
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IXTH13N110 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1100 920 920 920 920 920 13 360 TO-247AD
IXFB40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 40 1250 PLUS264
IXFN36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 240 240 240 240 240 36 1000 SOT-227 B
IXFN40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 34 890 SOT-227 B
IXFX30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 PLUS247
IXFK30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 TO-264
IXFL36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 26 520 ISOPLUS_i5
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники