Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
Si1300BDL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 1.08 85 - 0.4 0.2 SC70-3
2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SC70-6
DMN601DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 2000 0.305 0.2 SOT-363
2N7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SOT-323
2N7002MTF N-Channel Small Signal MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.115 0.2 SOT-23-3
BSS84W P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -50 - - - - - -0.13 0.2 SOT-323
DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 - - - - - 0.16 0.2 SOT-523
BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 - - - - 3500 0.2 0.2 SOT-363
DMN2004WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-323
2N7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1200 0.115 0.2 SOT-23-3
2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 13500 0.115 0.2 SOT-323
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 700 - - 400 - 0.54 0.2 SOT-363
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.2 SOT-23-3
2N7002DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 4400 0.115 0.2 SOT-363
DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-323
BSS84LT1 Power MOSFET 130 mA, 50 V P?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
P 1 50 - - - - - 0.13 0.225 SOT-23-3
NTR0202PL Power MOSFET ?20 V, ?400 mA, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 800 550 -0.4 0.225 SOT-23-3
BSS138LT1 Power MOSFET 200 mA, 50 V N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - - - 0.2 0.225 SOT-23-3
BSS123LT1 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 5000 0.17 0.225 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019