Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
MAX15025A 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
FSGM0565R Силовой ключ с режимом Green (FPS™) Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- - 650 - - - - 1.8 0.00025 - TO-220F
MAX15025B 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
CSD86350Q5D Силовой блок NexFET™ Texas Instruments MOSFET
- 2 25 - - - 6.6 - 0.001 2.8 SON-8
FSEZ1307 ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- 1 700 - - - - 20000 0.5 0.66 SOP-7
MAX15024A 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
MAX15024B 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
IRL540PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 77 28 150 TO-220AB
IRLML2803 Транзистор с логическим уровнем управления International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 400 250 1.2 0.54 SOT-23-3
IXZH10N50LA RF Power MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 - - - - 1000 10 250 ISOPLUS247
STW23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 150 TO-247
ZVN2106A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 60 - - - - 2000 0.45 0.7 TO-92
NTP90N02 Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts N?Channel TO-220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 24 - - - 7.5 5 90 85 TO-220
IXFE55N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 90 90 90 90 90 50 500 ISOPLUS247
IRFPE50 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 1200 7.8 190 TO-247AC
Si7186DP N-Channel 80-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 80 - - - - 10.3 32 64 PowerPAK_SO-8
STP62NS04Z N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 12.5 62 110 TO-220
IRFU3706 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - 23 11 9 75 88 I-PAK
FQI5N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 1140 5 73 I2PAK
STB5NK50Z N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 1220 4.4 70 D2-PAK
I2PAK
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019