Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
CPC3730C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 30000 30000 30000 30000 30000 0.14 1.6 SOT-89
IXTY02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-252
IXTU02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-251
IXTP02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 30000 30000 30000 30000 30000 0.2 25 TO-220
IXTP05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-220AB
IXTP08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-220
IXTA08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-263
TN2130 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET - Supertex, Inc. MOSFET
N 1 300 - - - 25000 - 0.25 0.36 SOT-23-3
CPC3720C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 22000 22000 22000 22000 22000 0.13 1.6 SOT-89
IXTY08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-252
IXTP08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-263
IXTA08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-263
IXTP08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-220
IXTP1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-220
IXTA1N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 20000 20000 20000 20000 20000 1 63 TO-263
IXTY08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-252
IXTP05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-220
IXFP05N100M N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTY05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-252
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019