Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRFU4105 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 45 | 27 | 48 |
|
| STP40NF10 | N-channel 100V - 0.025? - 50A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 25 | 50 | 150 |
TO-220 |
| IXFN62N80Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 49 | 960 |
|
| IXTP42N15T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 42 | 200 |
TO-220 |
| IRF634PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 450 | 8.1 | 74 |
TO-220AB |
| STW12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 90 |
|
| FDP8030L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.6 | 3.1 | 80 | 187 |
TO-220 |
| IRF8113 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 7.4 | 6 | 17.2 | 2.5 |
SOIC-8 |
| STB270N4F3 | N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.1 | 160 | 330 |
D2-PAK |
| IXFX88N20Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 88 | 500 |
|
| IXFH12N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|
| Si3469DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | - | 41 | 24 | 5 | 1.14 |
|
| IXTP08N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 25000 | 0.8 | 50 |
TO-220 |
| SQJ848EP | Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 12 | 9 | 30 | 68 |
PowerPAK_SO-8 |
| Si7192DP | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 18.5 | 15.5 | 60 | 104 |
PowerPAK_SO-8 |
| STD8NM60N | N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - IPAK - DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 560 | 7 | 70 |
D-PAK |
| TSM2323CX | P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4.7 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 68 | 52 | - | 39 | - | 4.7 | 1.25 |
SOT-23-3 |
| FQP14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 300 | - | - | - | - | 230 | 14.4 | 147 |
TO-220 |
| STQ1NK60ZR-AP | N-channel 600V - 13? - 0.8A - TO-92 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 13000 | 0.3 | 3 |
TO-92 |
| FQU9N25 | 250V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 330 | 7.4 | 55 |
|
