Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TSM2303CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -3.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 130 80 - 55 - -3.2 1.25 SOT-23-3
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
BSC019N02KS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 20 В, 100 А, 1.95 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 20 - 3 - 1.95 - 100 104 SON-8
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - - 0.001 1200 STAC244B
IRF7402 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - 50 35 - 6.8 2.5 SOIC-8
SiB911DK Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 455 - 345 242 - 2.6 3.1 PowerPAK_SC-75
NTHD5904N Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N?Channel, ChipFET ON Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 40 - 3.3 1.13 ChipFET_1206-8
ZXMN2A02N8 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
N 1 20 - - - 20 - 10.2 2.5 SOIC-8
NTMS4N01R2 Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N?Channel Enhancement?Mode Single SO?8 Package ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - 35 30 - 5.9 2.5 SOIC-8
Si5856DC N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode Vishay MOSFET
N 1 20 42 - 36 32 - 4.4 1.1 ChipFET_1206-8
Si1039X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 12 230 - 180 140 - 0.95 0.17 SC89-6
TSM802CQ N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 6 А, ESD защита Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 20 65 30 - 25 - 6 3.1 TDFN-8
IRLML6302 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 900 600 - 0.78 0.54 SOT-23-3
NTMD2P01R2 Power MOSFET ?2.3 Amps, ?16 Volts Dual SOIC?8 Package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -16 - - 100 70 - -2.3 0.71 SOIC-8
NTGS3441T1 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts P?Channel TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 69 - -1.65 0.5 TSOP-6
IRF7325 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 12 - - 33 24 - 7.8 2 SOIC-8
NTQD6968N Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N?Channel, TSSOP?8 ON Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 17 - 7 1.81 TSSOP-8
MTP50P03HDL Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P?Channel TO?220 ON Semiconductor MOSFET
P 1 30 - - - - - 50 125 TO-220AB
STC6NF30V N-channel 30V - 0.020? - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - 20 - 6 1.5 TSSOP-8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019