Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFH10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXTT10N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 10 | 695 |
|
|
IXTY2N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2 | 86 |
TO-252 |
|
IXFN23N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 430 | 430 | 430 | 430 | 430 | 23 | 600 |
|
|
IXFL34N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 280 | 280 | 280 | 280 | 280 | 30 | 550 |
|
|
IXFH7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
|
|
IXTY08N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 0.8 | 60 |
TO-252 |
|
STW5NK100Z | N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2700 | 3.5 | 125 |
|
|
IXFP4N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 4 | 150 |
TO-220 |
|
IXFE24N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 390 | 390 | 390 | 390 | 390 | 22 | 500 |
|
|
IXFX30N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 30 | 735 |
|
|
FQH8N100C | 1000V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 1200 | 8 | 225 |
|
|
IXFT6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|
|
IXTP08N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 21000 | 0.8 | 60 |
TO-220AB |
|
STP5NK100Z | N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2700 | 3.5 | 125 |
TO-220 |
|
IXFA4N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 3300 | 4 | 150 |
|
|
IXTP2N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2 | 86 |
TO-220 |
|
STF8NK100Z | N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 1600 | 6.5 | 40 |
|
|
IXFK30N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 30 | 735 |
|
|
IXFH6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|