Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
BSS192 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 240 - - - - 12000 200 1 SOT-89
BSP220 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 200 - - - - 12000 0.225 1.5 SOT-223-4
IXTT1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-268
IXTH1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-247AD
IXTP1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-220
IXTA1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-263
IXTP1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-220
NTD20P06L Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - - 11000 -15.5 65 D-PAK
DPAK-3
IRFBG20PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.4 54 TO-220AB
IRFBG20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.4 54 TO-220AB
IXTY1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-252
IXTY1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-252 AA
IXTP1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-220
IXTA1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-263
IXTA1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-263
IXTT1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-268
NCP1075 Высоковольтные импульсные регуляторы для сетевых источников питания NXP Управление питанием
MOSFET
 N 1 700 - - - - 11000 0.45 19 SOT-223-4
DIP-7
IXTH1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-247AD
NCP1072 Высоковольтные импульсные регуляторы для сетевых источников питания NXP Управление питанием
MOSFET
 N 1 700 - - - - 11000 0.25 19 SOT-223-4
DIP-7
TSM1NB60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-252
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники