Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
STB19NM65N | N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 250 | 15.5 | 150 |
D2-PAK |
|
TSM3442CX6 | N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 4 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | 90 | - | 70 | - | 4 | 1.25 |
|
|
IRFIZ34G | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 50 | 20 | 42 |
TO-220F |
|
Si4840DY | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 9.5 | 7.5 | 10 | 1.56 |
SOIC-8 |
|
STD36NH02L | N-channel 24V - 0.011? - 30A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | - | 11 | 30 | 45 |
D-PAK |
|
IXTH1N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 40000 | 1.5 | 250 |
|
|
IPW60R160C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 140 | 23.8 | 176 |
|
|
IRFR3707 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 17.5 | 13 | 61 | 87 |
D-PAK |
|
FDP120AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 101 | 14 | 65 |
TO-220AB |
|
STI14NM65N | N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 330 | 12 | 125 |
|
|
IXTT30N60L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 30 | 540 |
|
|
IRF634NPBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 435 | 8 | 88 |
TO-220AB |
|
STB75NF20 | N-channel 200V - 0.065? - 30A - D2PAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 65 | 30 | 125 |
D2-PAK |
|
IXTA200N085T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 480 |
|
|
IXFH68N20 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 35 | 35 | 35 | 35 | 35 | 68 | 360 |
|
|
FDA62N28 | 280V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 280 | - | - | - | - | 43 | 62 | 500 |
TO-3PN |
|
STP9NK90Z | N-channel 900V - 1.1? - 8A - TO-220 Zener-protected superMESHTM MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 1100 | 8 | 160 |
TO-220 |
|
FDMC86570LET60 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 6.5 | 4.3 | 87 | 65 |
Power 33 |
|
PH4840S | N-channel TrenchMOS intermediate level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 3.5 | 94.5 | 62.5 |
|
|
IRF6622 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 8.9 | 6.3 | 15 | 34 |
|