Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTY08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
TO-252 |
|
DMN66D0LW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3000 | 0.115 | 0.2 |
SOT-323 |
|
IRFU2407 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 26 | 42 | 110 |
|
|
IXTP60N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 60 | 176 |
TO-220 |
|
STB160N75F3 | N-channel 75V - 3.5m? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 3.2 | 120 | 330 |
D2-PAK |
|
IXFR24N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 420 | 420 | 420 | 420 | 420 | 13 | 208 |
|
|
IRF530PBF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 160 | 14 | 88 |
TO-220AB |
|
FSGM0565R | Силовой ключ с режимом Green (FPS™) | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ШИМ |
- | - | 650 | - | - | - | - | 1.8 | 0.00025 | - |
TO-220F |