Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTH52P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 50 50 50 50 50 -52 300 TO-247
IXTA52P10P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 50 50 50 50 50 -52 300 TO-263
IXTH50P10 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 55 55 55 55 55 -50 300 TO-247
TJ50S06M3L Силовой P-канальный MOSFET-транзистор Toshiba MOSFET
P 1 -60 - - - - 13.8 -50 90 DPAK-3
IPD50P03P4L-11 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 13 8.3 -50 58 TO-252
IXTT50P085 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -185 55 55 55 55 55 -50 300 TO-268
IXTH50P085 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -185 55 55 55 55 55 -50 300 TO-247
IXTT50P10 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 55 55 55 55 55 -50 300 TO-268
IXTY48P05T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -50 30 30 30 30 30 -48 150 TO-252
IXTP48P05T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -50 30 30 30 30 30 -48 150 TO-220AB
IXTA48P05T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -50 30 30 30 30 30 -48 150 TO-263
IXTT48P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 85 85 85 85 85 -48 462 TO-268
IXTH48P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 85 85 85 85 85 -48 462 TO-247
IPP45P03P4L-11 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 13.1 9 -45 58 TO-220
IPI45P03P4L-11 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 13.1 9 -45 58 TO-262
IPB45P03P4L-11 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 12.8 8.7 -45 58 TO-263-3
IXTR68P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 64 64 64 64 64 -44 270 ISOPLUS247
IXTH44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-247
IXTQ44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-3P
IXTP44P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -150 65 65 65 65 65 -44 298 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019