Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STD16NF25 N-channel 250V - 0.195? - 13A - DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 195 13 90 D-PAK
NTB5411N Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 8.4 80 166 D2-PAK
FDP047N08 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 3.7 164 268 TO-220
IRFBC30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 3.6 74 TO-220AB
STP120NF10 N-channel 100V - 0.009? - 110A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 9 110 312 TO-220
STW30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 TO-247
FQP5N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 1270 4.5 70 TO-220
IRFP4242PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 300 - - - - 59 46 430 TO-247AC
Si4455DY P-Channel 150-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 150 - - - - 245 2.8 5.9 SOIC-8
PSMN015-110P N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 110 - - - - 12 75 300 TO-220AB
FCH043N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 75 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 43 75 592 TO-247
STP21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-220
FDB8444 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 3.9 70 167 TO-263AB
Si7450DP N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 65 3.2 1.9 PowerPAK_SO-8
STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 100 TO-220
IPD90N06S4-07 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 5.7 90 79 TO-252
RFD14N05SM N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - - 100 14 48 TO-252 AA
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
IRLI540G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 77 17 48 TO-220F
STB75NF20 N-channel 200V - 0.028? - 75A - D2PAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 28 75 190 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019