Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFX220N15P Polar Power MOSFET HiperFET IXYS MOSFET
 N 1 150 - - - - 9 220 1250 PLUS247
IXFK220N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 9 9 9 9 9 220 1250 TO-264
IXFK220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-264
IXFX220N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 6.3 6.3 6.3 6.3 6.3 220 1250 TO-247
IXFB100N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 49 49 49 49 49 100 1250 PLUS264
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
IXTX600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 600 1250 PLUS247
IXFB60N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 140 140 140 140 140 60 1250 PLUS264
IXFK240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-264
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTK600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 600 1250 TO-264
IXFB170N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 18 18 18 18 18 170 1250 PLUS264
IXFX240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-247
IXFX520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 520 1250 PLUS247
IXFB52N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 160 160 160 160 160 52 1250 PLUS264
IXFK520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 520 1250 TO-264
IXFB40N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 260 260 260 260 260 40 1250 PLUS264
IXFX250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 PLUS247
IXFX80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 80 1250 PLUS247
IXFK250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 TO-264
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники