Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FSGM0565R Силовой ключ с режимом Green (FPS™) Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- - 650 - - - - 1.8 0.00025 - TO-220F
IRLML2803 Транзистор с логическим уровнем управления International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 400 250 1.2 0.54 SOT-23-3
STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 ? - 19 A - TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 19 150 TO-247
FDMS7570S N-канальный MOSFET транзистор PowerTrench® SyncFET 25 В, 49 А, 1.95 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 2.85 1.95 49 83 Power 56
IXTH26P20P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 170 170 170 170 170 -26 300 TO-247
STH140N8F7-2 N-канальный транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 90 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 4 90 200 H2PAK-2
PHU78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 25 - - - 10.5 7.65 75 107 I-PAK
HUF75337S3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 11 75 175 TO-263AB
IRFR9210 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 3000 1.9 25 D-PAK
SUD50N04-25P N-Channel 40-V (D-S), 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 20 16 20 28.8 D-PAK
IRFU6215 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 150 - - - - 295 13 110 I-PAK
IXTR140P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 16 16 16 16 16 -90 270 ISOPLUS247
STW25NM50N N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 110 22 160 TO-247
STI21N65M5 N-channel 650 V, 0.159 ?, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 710 - - - - 159 17 125 I2PAK
IRFPC40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.8 150 TO-247AC
IRL2505S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 8 104 200 D2-PAK
STB9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1000 7.5 115 D2-PAK
I2PAK
IXFT12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXTN22N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 600 600 600 600 600 22 700 SOT-227 B
STV250N55F3 N-channel 55 V - 1.5 m? - 250 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 1.5 250 300 PowerSO-10
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019