Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFA3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-263
IXFP3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-220
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXTH6N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1500 3500 3500 3500 3500 3500 6 540 TO-247
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
DMN2005K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 3500 - 1700 - - 0.6 0.35 SOT-23-3
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
IXTA4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-263
IXTP4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-220
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
DMN5L06DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 50 3000 - - - - 0.305 0.25 SOT-363
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019