Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
NTGS4141N | Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N?Channel, TSOP?6 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 30 | 21.5 | 5 | 1 |
|
|
Si3407DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 3.1 | 2 | - | 8 | 4.2 |
|
|
Si3451DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 164 | 92 | - | 2.8 | 2.1 |
|
|
IRLMS2002 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | 45 | 30 | - | 6.5 | 2 |
|
|
Si3410DV | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 19 | 16 | 8 | 4.1 |
|
|
NTGS3441B | Power MOSFET -20 V, -3.5 A, Single P-Channel, TSOP-6 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 59 | - | -3 | 1.1 |
|
|
Si3879DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 85 | 58 | - | 5 | 3.3 |
|
|
Si3495DV | P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 30 | - | 24 | 20 | - | 5.3 | 1.1 |
|
|
Si3993DV | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 2 | 30 | - | - | - | 194 | 107 | 1.8 | 0.83 |
|
|
BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
|
BSZ0501NSI | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.5 | 2 | 40 | 50 |
|
|
BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
|
BSZ097N10NS5 | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9.7 | 40 | 69 |
|
|
FQNL2N50B | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 4200 | 0.35 | 1.5 |
|
|
IRFNL210B | 200V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 1160 | 1 | 3.1 |
|
|
SSN1N45B | 450V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 450 | - | - | - | - | 3400 | 0.5 | 0.9 |
TO-92 |
|
ZVP3306A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 14000 | -0.16 | 0.625 |
TO-92 |
|
STQ1NK60ZR-AP | N-channel 600V - 13? - 0.8A - TO-92 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 13000 | 0.3 | 3 |
TO-92 |
|
STQ1NK80ZR-AP | N-CHANNEL 800V - 13 ? - 1 A TO-92 Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1000 | 0.3 | 3 |
TO-92 |
|
2N7000 | N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1800 | 0.35 | 1 |
TO-92 |