Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTY10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
TO-252 |
| IXTP10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
TO-220 |
| IXTP10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
TO-220AB |
| IXTH10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
| IXTA10P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -10 | 83 |
|
| IXTA10P50P | PolarP Power MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | - | - | - | - | 1000 | -10 | 300 |
|
| TSM10P06CP | P-канальный MOSFET транзистор, -60 В, -10 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | 220 | 170 | -10 | 37 |
TO-252 |
| IXTR16P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 790 | 790 | 790 | 790 | 790 | -10 | 190 |
|
| NTMS10P02R2 | Power MOSFET ?10 Amps, ?20 Volts P?Channel Enhancement?Mode Single SOIC?8 Package |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 12 | - | -10 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IXTH10P60 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
| TJ10S04M3L | P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | - | 44 | -10 | 27 |
|
| FDN360P | Single P-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 100 | 63 | -10 | 0.5 |
|
| NTF6P02T3 | Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 44 | - | -10 | 8.3 |
SOT-223-4 |
| FDN306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -12 | 54 | 39 | - | 30 | - | -10 | 0.5 |
|
| IXTT10P60 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | -600 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
| DMP2022LSS | SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 11 | 8 | -10 | 2.5 |
|
| ZXMP4A16K | 40V P-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 100 | 60 | -9.9 | 4.2 |
D-PAK |
| ZXMP3F36N8 | 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 28 | 20 | -9.6 | 1.56 |
SOIC-8 |
| SSM6J409TU | Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 46.5 | - | 30.2 | 22.1 | - | -9.5 | 1 |
|
| FDMA910PZ | P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 34 | 24 | - | 20 | - | -9.4 | 2.4 |
MicroFET |
