Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXTY2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-252
IXFN23N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 430 430 430 430 430 23 600 SOT-227 B
IXFL34N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 280 280 280 280 280 30 550 ISOPLUS264
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXTY08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-252
STW5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 2700 3.5 125 TO-247
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFE24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 390 390 390 390 390 22 500 ISOPLUS-227
IXFX30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 PLUS247
FQH8N100C 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 1200 8 225 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXTP08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-220AB
STP5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 2700 3.5 125 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
IXTP2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-220
STF8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 1600 6.5 40 TO-220FP
IXFK30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 TO-264
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019