Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STV250N55F3 N-channel 55 V - 1.5 m? - 250 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 1.5 250 300 PowerSO-10
IXTV250N075TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 PLUS220SMD
IXTV250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 PLUS220
IXFX250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 PLUS247
IXTK250N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 5 5 5 5 5 250 730 TO-264
IXFK250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 TO-264
IXTQ250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 TO-3P
STB230NH03L N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 2.3 250 300 D2-PAK
IXTH250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 TO-247
NTJD4001N Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - - - 250 272 SC-88
FDMS86550ET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 245 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 1.65 245 187 Power 56
STV240N75F3 N-channel 75 V - 2.3 m? - 240 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 75 - - - - 2.3 240 300 PowerSO-10
IRF1503 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 3.3 240 330 TO-220AB
IRF3805S-7P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 2.6 240 300 D2-PAK
IXFK240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-264
IXFX240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 1250 TO-247
IXFN240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 830 SOT-227
IRFS3107-7PPbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.1 240 370 D2-PAK-7
IRFS3006-7PPbF 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 1.5 240 375 D2-PAK-7
IXTQ240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-3P
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019