Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTA24P085T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -85 65 65 65 65 65 -24 83 TO-263
IXTR40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 260 260 260 260 260 -22 312 ISOPLUS247
IXTR36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 120 120 120 120 120 -22 150 ISOPLUS247
IXTC36P15P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 120 120 120 120 120 -22 150 ISOPLUS220
IXTT20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-268
IXTH20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-247
TJ20S04M3L Силовой P-канальный MOSFET-транзистор Toshiba MOSFET
 P 1 -40 - - - - 22.2 -20 41 DPAK-3
NTB5605 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp P-Channel, D2PAK ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - - - -18.5 88 D2-PAK
IXTP18P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 120 120 120 120 120 -18 83 TO-220
IXTA18P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 120 120 120 120 120 -18 83 TO-263
IXTR32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 385 385 385 385 385 -18 310 ISOPLUS247
IXTY18P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -100 120 120 120 120 120 -18 83 TO-252
TSM4459CS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -17 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 9.5 5.2 -17 2.5 SOP-8
IXTT16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-268
IXTH16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-247
IXTH16P20 Standard Power MOSFET IXYS MOSFET
 P 1 -200 160 160 160 160 160 -16 300 TO-247AD
NTD20P06L Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - - 11000 -15.5 65 D-PAK
DPAK-3
FDMC86139P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -100 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -100 - - - - 67 -15 40 MLP 3.3x3.3
IXTY15P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 240 240 240 240 240 -15 150 TO-252
IXTP15P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 240 240 240 240 240 -15 150 TO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники