Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FDG6317NZ Dual 20v N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 82 - - - 300 0.7 0.3 SC70-6
IRF7342Q HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 55 - - - 170 105 3.4 2 SOIC-8
TSM2N7002KDCU6 N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 2 60 - - - 4000 2000 0.3 0.3 SOT-363
Si7216DN Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 40 - - - 31 25 6 20.8 PowerPAK_1212-8
NTMD6P02R2 Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P?Channel SOIC?8, Dual ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 27 - -7.8 2 SOIC-8
DMP57D5UV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
NTHD4102P Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 120 - - 64 - -2.9 1.1 ChipFET_1206-8
EFC6601R Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 24 В / 13 А / 11.5 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей ON Semiconductor MOSFET
N 2 24 - 17 - 11.5 - 13 2 WLCSP-6
Si7994DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 5.6 4.6 60 46 PowerPAK_SO-8
IRF7530 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 20 - - 45 30 - 5.4 1.3 Micro 8
FDC6561AN Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 113 82 2.5 0.96 SSOT-6
IRF8513PbF 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 18.1 12.5 11 2.4 SOIC-8
Si1023X Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 1800 - 1200 800 - 0.37 0.25 SC89-6
Si4226DY Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 25 - - 20 15.5 - 8 3.2 SOIC-8
IRF7504 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 20 - - 400 270 - 1.7 1.25 Micro 8
DMN2215UDM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 20 165 - - 80 - 2 0.65 SOT-26
Si5902BDC Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 81 5.3 4 3.12 ChipFET_1206-8
Si1034X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 9000 - 7000 5000 - 0.18 0.25 SC89-6
FDS6994S Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFet Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 19 16 8.2 2 SOIC-8
NTHD2102P Power MOSFET ?8.0 V, ?4.6 A Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -8 100 - - 50 - -3.4 1.1 ChipFET_1206-8
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019