Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| ZVP4105A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.175 | 0.625 |
TO-92 |
| ZVN3310F | SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 10000 | 0.1 | 0.33 |
SOT-23-3 |
| IXTY1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
| ZVN3310A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 10000 | 0.2 | 0.625 |
TO-92 |
| IXTP1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
| ZVN2120G | SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 10000 | 0.32 | 0.002 |
SOT-223-4 |
| IXTA1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
|
| ZVN2120A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 10000 | 0.18 | 0.7 |
TO-92 |
| TN2535 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
|
Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 350 | - | - | - | 10000 | 10000 | 1 | 1.6 |
SOT-89 |
| TN2435 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
|
Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 350 | - | - | - | 15000 | 10000 | 1 | 1.6 |
SOT-89 |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.13 | 0.3 |
SOT-23-3 |
| ZVP4525E6 | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.197 | 1.1 |
SOT-23-6 |
| ZVP4525Z | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.205 | 1.2 |
SOT-89 |
| CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения |
|
Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |
| TSM1NB60SCT | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 2.5 |
TO-92 |
| ZVP4525G | 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -250 | - | - | - | - | 10000 | -0.265 | 2 |
SOT-223-4 |
| TSM1NB60CW | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 2.1 |
|
| TSM1NB60CH | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 39 |
|
| FQN1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 1.2 | 1 |
TO-92 |
| FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 1 | 28 |
|
