Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFN360N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 4 4 4 4 4 310 1070 SOT-227
IXFN300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 295 1070 SOT-227
IXFN210N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 10.5 10.5 10.5 10.5 10.5 188 1070 SOT-227 B
IXFN420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 420 1070 SOT-227
IXFH50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-247
IXFQ50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 145 145 145 145 145 50 1040 TO-3P
IXFH60N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 60 1040 TO-247
IXFQ60N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 60 1040 TO-3P
IXFK140N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 300 24 24 24 24 24 140 1040 TO-264
IXFT60N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 100 100 100 100 100 60 1040 TO-268
IXTX210P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 -210 1040 PLUS247
IXTK210P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 -210 1040 TO-264
IXTK140N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 300 24 24 24 24 24 140 1040 TO-264
IXFN100N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 49 49 49 49 49 90 1040 SOT-227 B
IXFX80N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 65 65 65 65 65 80 1040 PLUS247
IXFK80N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 65 65 65 65 65 80 1040 TO-264
IXFN60N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 140 140 140 140 140 53 1040 SOT-227 B
IXFX140N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 300 24 24 24 24 24 140 1040 PLUS247
IXTK200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 TO-264
IXTX200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019