Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFA14N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 14 | 300 |
|
|
IXTQ14N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 14 | 300 |
|
|
IXTP14N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 14 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA14N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 14 | 300 |
|
|
IXTP14N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 7 | 75 |
|
|
IXFN22N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 25 | 625 |
|
|
IXFV20N80PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 520 | 520 | 520 | 520 | 520 | 20 | 500 |
|
|
IXFV20N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 520 | 520 | 520 | 520 | 520 | 20 | 500 |
|
|
IXFT20N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 520 | 520 | 520 | 520 | 520 | 20 | 500 |
|
|
IXFH20N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 520 | 520 | 520 | 520 | 520 | 20 | 500 |
|
|
PMZ350XN | N-channel TrenchMOS standard level FET | NXP |
MOSFET Транзисторы |
N | 1 | 30 | - | - | 520 | 350 | - | 1.87 | 2.5 |
SOT-883 |
|
Si1046R | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 660 | - | 501 | 420 | - | 0.6 | 0.25 |
SC75A |
|
IXFP12N50PM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 6 | 50 |
|
|
BSH103 | N-channel enhancement mode MOS transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 600 | - | 500 | 400 | - | 0.85 | 0.75 |
SOT-23-3 |
|
IXFN21N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 21 | 520 |
|
|
IXFX21N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 21 | 500 |
|
|
IXTH3N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 6 | 300 |
|
|
IXFK21N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 21 | 500 |
|
|
IXTP3N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 6 | 300 |
TO-220AB |
|
IXFR21N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 18 | 350 |
|