Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
ZVP2106A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - - 5000 -0.28 0.7 TO-92
IRFPG30PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-247AC
IRFPG30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-247AC
2N7000 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.75 1 TO-92
2N7002MTF N-Channel Small Signal MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.115 0.2 SOT-23-3
TSM2N7000KCT N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 5500 5000 0.1 0.4 TO-92
STFW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 0 TO-3PF
TSM2N60SCW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.6 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 5000 0.6 2.5 SOT-223-3
2N7000 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 6000 5000 0.2 0.35 TO-92
STFV4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220FH STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 40 TO-220FH
TSM2N60CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 5000 1 70 TO-220
STW4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-247
STP2NK90Z N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 5000 2.1 70 TO-220
TSM2N60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 5000 1 70 TO-251
STP4N150 N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 5000 4 160 TO-220
IRFBG30PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-220AB
TSM2N60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 5000 1 70 TO-252
2N7000TA Advanced Small Signal MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.2 0.4 TO-92
IRFBG30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-220AB
STD2NK90Z N-channel 900V - 5? - 2.1A - DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 900 - - - - 5000 2.1 70 D-PAK
I-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019