Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTY1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-252
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
IXFH15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
STP5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 2700 3.5 125 TO-220
IXTH14N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 820 820 820 820 820 14 300 TO-247AD
IXFL44N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 240 240 240 240 240 22 357 ISOPLUS_i5
IXTA1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-263
IXFK15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-264AA
IXTM12N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-204AA
IXFR24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 390 390 390 390 390 22 416 ISOPLUS247
FQU2N100 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 7100 1.6 50 I-PAK
IXTA1R4N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.4 63 TO-263
IXFT15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXTH12N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFT20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-268
FQD2N100 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 7100 1.6 50 D-PAK
IXFT15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXTH5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-247AD
STF8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 1600 6.5 40 TO-220FP
IXFH20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019