Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRLU4343 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 65 | 50 | 26 | 79 |
|
| STB12NM60N | N-channel 600V - 0.35? - 10A - D2/I2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 10 | 90 |
D2-PAK |
| IXFX120N30T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 120 | 960 |
|
| IRFIBE30GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 3000 | 2.1 | 35 |
TO-220F |
| IXTP05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
| DMN66D0LT | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3000 | 0.115 | 0.2 |
|
| IRFU2405 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 16 | 56 | 110 |
|
| IXTA60N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 60 | 176 |
|
| STB150NF55 | N-channel 55V - 0.005? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 5 | 120 | 300 |
D2-PAK |
| IXFR24N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 420 | 420 | 420 | 420 | 420 | 13 | 208 |
|
| IRF530 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 160 | 14 | 88 |
TO-220AB |
| STD2NK60Z | N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 7200 | 1.4 | 45 |
|
| FDS3512 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 50 | 4 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IRF7603 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 600 | 35 | 5.6 | 1.8 |
|
| IXFK24N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 24 | 650 |
|
| IXFV110N10P | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
|
ISSI |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 15 | 110 | 480 |
|
| IXFR150N15 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 105 | 400 |
|
| IXTT26N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 26 | 460 |
|
| BUZ30AH3045A | SIPMOS™ Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 130 | 21 | 125 |
TO-263-3 |
| Si4686DY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 11 | 7.8 | 18.2 | 5.2 |
SOIC-8 |
